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16.(9分)离子注入是芯片制造中的一道重要工序,简化的注入过程原理如图所示。静止于A处的离子经电压为U的电场加速后,沿图中半径为R的圆弧虚线通过磁分析器,然后从P点沿竖直方向进入半径为r的圆形磁场区域,经磁场偏转,最后垂直打在竖直放置的硅片上。已知磁分析器截面是四分之一圆环,内部为匀强磁场,磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向里;圆形磁场区域的直径PQ与竖直方向成45^,,直径PQ上、下方半圆区域的磁感应强度大小相等、方向相反。整个装置处于真空中,不计离子重力和离子间的相互作用。求:(1)离子在磁分析器中的运动时间;(2)圆形磁场的磁感应强度大小。

(3)图2中A组蓝莓叶肉细胞内能产生ATP的具体场所是。B组蓝莓叶肉细胞的光合速率(填“大于”、“小于”或“等于”)蓝莓叶肉细胞的呼吸速率,原因是。